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建立一个描述低能电子在多元多层介质中散射的物理模型,运用MonteCarlo方法模拟低能电子在靶体胶衬底中的复杂散射过程,在此基础上通过大量计算研究入射束能、胶层厚度、衬底材料等不同曝光条件对抗蚀剂沉积能密度分布的影响,获得沉积能分布规律:适量的低束能、薄胶层、低原子序数衬底可以使前散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献增大、背散射电子的贡献减小,从而提高曝光分辨率.
关键词:
电子束曝光
MonteCarlo方法
低能电子散射
能量沉积 相似文献
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LD泵浦固体激光器基模振荡光的场分布噪音 总被引:3,自引:3,他引:0
通过调整泵浦光直径,使得LD端面泵浦固体激光器的振荡光工作于基模.在排除高阶横模的条件下,测量了由于热透镜的不稳定引起的光场场分布的噪音.实验发现,基模振荡光的高斯半径、光束指向角都在波动,而且光斑存在畸变波动.对一个未采取抑制措施的2W连续LD端面泵浦Nd:YAG固体激光器进行了测量.结果表明,在总功率不变的情况下,激光束峰值点附近的光强波动达到6.3%;激光的高斯半径波动达到5.8%;激光的指向角波动达到0.3mrad. 相似文献
35.
It is well known that topology and dynamics are two major aspects to determine the function of a network. We study one of the dynamic properties of a network: trajectory convergence, i.e. how a system converges to its steady state. Using numerical and analytical methods, we show that in a logical-like dynamical model, the occurrence of convergent trajectory in a network depends mainly on the type of the fixed point and the ratio between activation and inhibition links. We analytically proof that this property is induced by the competition between two types of state transition structures in phase space: tree-like transition structure and star-like transition structure. We show that the biological networks, such as the cell cycle network in budding yeast, prefers the tree-like transition structures and suggest that this type of convergence trajectories may be universal. 相似文献
36.
Chirped fiber grating was used in dispersion compensator. We tried to use the same phase mask to write fiber grating of different wavelength with two methods to reduce the price of the fiber grating. 相似文献
37.
Using the theoretically calculated point-defect total-energy values of Baraff and Schlüter in GaAs, anamphoteric-defect model has been proposed by Walukiewicz to explain a large number of experimental results. The suggested amphoteric-defect system consists of two point-defect species capable of transforming into each other: the doubly negatively charged Ga vacancyV
Ga
2–
and the triply positively charged defect complex (ASGa+V
As)3+, with AsGa being the antisite defect of an As atom occupying a Ga site andV
As being an As vacancy. When present in sufficiently high concentrations, the amphoteric defect systemV
Ga
2–
/(AsGa+V
As)3+ is supposed to be able to pin the GaAs Fermi level at approximately theE
v
+0.6 eV level position, which requires that the net free energy of theV
Ga/(AsGa+V
As) defect system to be minimum at the same Fermi-level position. We have carried out a quantitative study of the net energy of this defect system in accordance with the individual point-defect total-energy results of Baraff and Schlüter, and found that the minimum net defect-system-energy position is located at about theE
v
+1.2 eV level position instead of the neededE
v
+0.6 eV position. Therefore, the validity of the amphoteric-defect model is in doubt. We have proposed a simple criterion for determining the Fermi-level pinning position in the deeper part of the GaAs band gap due to two oppositely charged point-defect species, which should be useful in the future. 相似文献
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